一、基本情况
罗海辉，男，毕业于中国科学院，博士研究生，硕士生校外导师。
工作单位：株洲中车时代半导体有限公司，工程技术--正高级工程师。
二、主要研究方向与工作业绩
长年从事轨道交通装备的技术研发和技术管理工作，是中国中车株洲所的重要科技人才，主持多项产业化项目，获得多项奖励，学术水平与工程应用水平高。
本人近五年（2016 年至2020年）科研情况 |
汇总 | 获奖或鉴定成果 5项，其中：国家级 2项；部（省）级3 项；市（厅）级 项。 |
代表作品或获奖 | 序号 | 获奖或鉴定项目、专著（教材）、论文名称 | 获奖名称、等级或鉴定单位或发表刊物或出版单位、 时间 | 本人排名 |
1 | 高压高功率密度IGBT芯片研发及其应用 | 中国电源学会科学技术奖 | 6 |
2 | 牵引传动用高压IGBT研究开发与应用推广 | 铁道科技奖 | 7 |
3 | 高压高功率密度IGBT芯片和模块研究开发及其应用 | 中国电子学会科学技术奖 | 5 |
本人所从事的专业领域工作情况简介（专业特长、取得成就、突出应用实践）
本人长期从事率功率半导体器件设计、IGBT芯片及模块的可靠性机理、设计方法及失效规律的研究及产业化。湖湘青年英才，教授级高级工程师，现任株洲中车时代半导体有限公司副总经理兼IGBT器件制造中心主任,带领“IGBT技术研发与产业化科技创新团队”入选“国家重点领域创新团队”。主持的项目曾获省部级科技奖4项，通过省部级科技成果鉴定4项，申请发明专利78项,其中21项发明专利已授权，在国际会议、国内外核心期刊发表论文35篇，其中SCI、EI收录10余篇。曾荣获“中国专利优秀奖”、“铁道学会科学技术奖特等奖”、“电子学会科学技术奖一等奖”、“电子学会科学技术奖二等奖”等。 |
