一、活动宗旨

鼓励原创，激发创新思维。以培养与发展国内功率半导体器件领域与新能源领域的人才为目标,围绕功率半导体器件设计、新型半导体材料设计而展开的竞赛。

二、组织机构

大赛由共青团湖南工业大学委员会主办，交通工程学院“双创”中心承办。

三、征稿对象

在校全体学生团体、个人均可参加。

四、作品要求

1、弘扬主旋律，传播正能量，体现社会主义核心价值观。

2、设计须具有一定创新性或者应用的潜力和价值。

3、参赛稿件必须是赛程结束前暂未公开发表的，大赛不接受其它赛事获奖稿件。

4、为坚持公平公正公开原则，稿件中禁止出现任何可识别参赛者身份的信息。

5、所有稿件必须是原创，集体创作作品参赛需征得主创人员的同意。

6、参赛作品需满足以下需求：

（1）参赛稿件稿件内容需以功率半导体器件设计的大功率为目标，以击穿电压1200V为击穿电压设计值，最大限度的设计大电流密度（单位横截面积的电流最大）。

（2）功率半导体器件限定为MOSFET、IGBT、BJT三种器件，任选一种。

（3）作品需包含源程序、竞赛的纸质总结报告、竞赛演讲PPT三方面的内容，竞赛演讲时不仅展示PPT，而且需现场展示程序运行及结果。

7、参赛结果将综合考虑第6点所提的内容。

五、奖项与奖金设置：

本竞赛根据参赛作品的类别分别设立：一等奖、二等奖、三等奖。对获奖个人或团队，颁发奖金和荣誉证书。

六、提交流程

请将稿件以电子稿和纸质档形式各提交一份，电子稿命名为：学院+稿件名+作者+电话，发送至邮箱1015736672@qq.com，纸质档交至实践部郭星妘(qq:1015736672）处。作品提交截止时间：2020年11月25日。

如有疑问可加入大赛学生QQ咨询群：1076499830。

共青团湖南工业大学委员会

交通工程学院

二零二零年十一月十一号